金属有机化合物气相沉积技术 (metal organic chemical vapor deposition， MOCVD），采用的气态物质源是金属有机化合物气体，沉积的基本反应过程与CVD相似。

1.MOCVD的原料气

    MOCVD 采用的气态物质源是金属有机化合物气。金属有机化合物是有机物与金属化合生成的比较稳定的化合物。有机化合物有烷基，芳香基等。烷基包括甲基、乙基、丙基、丁基。芳香基包括苯基的同系物，三甲基镓等[Ga(CH3)3]、三甲基铝 [Al(CH3)3] 用于沉积微电子、光电子、半导体中的三、五族化合物膜层，如用 Ga(CH3)3和氨气可以在硅片或在蓝宝石上外延生长LED灯中的 InGaN 发光层。LED 灯比钨丝白炽灯节能 90%，比日光灯节能60%，现在各种路灯、照明灯和汽车车灯基本上都采用了 MOCVD生产的LED发光薄膜。

2.沉积温度

    有机金属化合物的分解温度低，沉积温度比 HCVD 低。用 MOCVD 沉积 TiN沉积温度可降到 500C左右。