影响薄膜生成的因素有: (1) 溅射气体。溅射气体应具备溅射产额高，对靶材呈惰性，价格便宜，易于获得高 纯度等特点。一般来说，氩气是较为理想的溅射气体。 (2)溅射电压及基片电压。这两个参数对膜的特性有重要影响，溅射电压不但影响沉积速率，而且还严重影响沉积薄膜的结构。基片电位直接影响人射的电子流或离子流。若基片接地，则受到等同的电子轰击;若基片悬浮，则在辉光放电区取得相对于地的电位稍负的悬浮电位V1，而基片周围等离子体的电位 V2要高于基片电位，这将引起一定程度的电子和正离子的轰击，导致膜厚、成分和其他特性的变化:若基片有目的地施加偏压，使其按电的极性接受电子或离子，不仅可以净化基片，增强膜的附着力，而且还可以改变膜的结构。在用射频溅射镀膜时，制备导体膜加直流偏压:制备介质膜加调谐偏压。

随着溅射镀膜特别是磁控溅射镀膜技术的日益发展，目前，对何材料都可以通过离子轰击靶材制备薄膜，由于靶材被溅射的过程中将其涂覆到某种基片，对溅射膜的质量有着重要的影响，因此，对靶材的要求也更加严格。在靶材选用上，除了应按膜本身的用途进行选择外，还应考虑如下几个问题： 1.靶材成膜后应具有良好的机械强度和化学稳定性；

射频溅射镀膜的主要特点 a.溅射速率高。如溅射SiO2时，沉积速率可达200nm/min。通常也可达10~100nm/min。 而且成膜的速率与高频功率成正比关系。 b.膜与基体间的附着力大于真空蒸镀的膜层。这是由于向基体内入射的原子平均动能大约为 10eV，而且处于等离子体中的基体会受到严格的溅射清洗致使膜层针孔少、纯度高、膜层致密。 c.膜材适应性广泛，既可是金属也可以是非金属或化合物，几乎所有材料可制备成圆形板状，可长期使用。 d对基体形状要求不苛刻。基体表面不平或存在宽度在 1mm 以下的小狭缝也可溅射成膜。

当膜材原子开始沉积时，离子轰击对膜/基界面会产生如下影响: (1) 物理混合。因为高能离子注人，沉积原子的被溅射以及表面原子的反冲注入与级联碰撞现象，将引起近表面区膜/基界面的基片元素和膜材元素的非扩散型混合，这种混合效果将有利于在膜/基界面间形成“伪扩散层”，即膜/基界面间的过渡层，厚达几微米其中甚至会出现新相。这对提高膜/基界面的附着强度是十分有利的。 (2) 增强扩散。近表面区的高缺陷浓度和较高的温度会提高扩散率。由于表面是点缺陷，小离子有偏析表面的倾向，离子轰击有进一步强化表面偏折的作用并增强沉积原子和基片原子的相互扩散。